Nitruri 2D per una microelettronica super efficiente

La scoperta di nuove forme bidimensionali dei nitruri apre nuove prospettive per l’elettronica ultra-veloce e ad alta efficienza energetica. Uno studio pionieristico dell’Istituto per la microelettronica e microsistemi del Cnr di Catania pubblicato su Advanced Materials

La recente dimostrazione di nuove forme bidimensionali del GaN e di altri nituri (InN ed AlN) apre nuove prospettive per l’applicazione di questi materiali nella micro e nanoelettronica. Uno dei primi studi in questa direzione, realizzato dai ricercatori dell’Istituto per la microelettronica e microsistemi del Consiglio nazionale delle ricerche (Cnr-Imm) di Catania, in collaborazione con l’Università di Linkoping in Svezia e con l’MFA-EK di Budapest, nell’ambito del progetto europeo Grifone, è pubblicato sulla rivista internazionale Advanced Materials.

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